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元器件应用中的Vishay推出单片功率MOSFET与肖特基二极管器件
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文件大小: 49kb
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上传时间: 2020-11-26
详细说明：Vishay推出单片功率MOSFET与肖特基二极管器件，与使用任何先前此类单片器件的电路相比，该器件在直流到直流转换应用中可将运行效率提高6%。新型Vishay Siliconix Si4642DYSkyFET器件已经过测试，可匹敌竞争的单片MOSFET/肖特基器件，以及使用相同控制器 IC 及高端 MOSFET 的业界标准分立 MOSFET 与肖特基二极管组合。无论在轻负载还是在重负载情况下，使用SkyFET器件的电路在运行时均具有更高效率。例如，在 300kHz、6A 时，效率超过 91%。这些优势是通过以下特性实现的：Si4642DY整合肖特基二极管的低正向压降与反向恢复电荷，以及通过将
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