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元器件应用中的双向触发二极管的结构与特性
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上传时间: 2020-11-23
详细说明：双向触发二极管由硅NPN三层结构组成，它是一个具有对称性的半导体二极管器件，可等效为基极开路、集电极与发射极对称的NPN半导体三极管，如图一所示。
双向触发二极管的伏安特性曲线如图二所示，其正向和反向具有相同负阻特性。当双向触发二极管两端所加电压V低于正向转折电压VBO时，器件呈高阻状态。当外加电压升高到VBO时，器件击穿导通，由高阻转为低阻进人负阻区。同样，当所加电压大于反向转折电压－UBO时，器件也会击穿导通迸人负阻区。有时又把转折电压称为穿通电压或击穿电压。转折电压的对称性用正负转折电压的绝对值之差表示。特性曲线中的△V为动态回转电压，IB为漏电流，IBO为转折电流，IF为正向电流
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