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模拟技术中的新日本无线推出集成旁通电路的低噪声放大器NJG1127HB6
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上传时间: 2020-12-02
详细说明：新日本无线已研发成功适用于采用CMOS RF IC的800MHz CDMA手机的带有旁通电路的低噪声放大器GaAs MMIC NJG1127HB6，并开始样品供货。 利用CMOS技术实现高频RF电路的CMOS RF IC很难内置低噪声放大器，所以需要高性能的低噪声放大器(LNA: low noise amplifier)。 NJG1127HB6正是为了满足这样的要求而开发的，主要用于800MHz的CDMA手机的设有旁通电路的低噪声放大器。 NJG1127HB6由低噪声放大器、旁通电路、控制用逻辑电路等构成，实现了IIP3=+8dBm min. f=880MHz(高增益模式时)的低失
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