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电源技术中的IR最新MOSFET芯片组提升两相DC-DC降压转换器效率
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上传时间: 2020-12-02
详细说明：国际整流器公司(IR)近日推出两款新型30V HEXFET功率MOSFET，可将30V/45A两相同步降压转换器MOSFET解决方案的轻负载效率提升2%，用来驱动笔记本电脑及其他高性能计算应用中的Intel和AMD最新型处理器。
这两款新型无铅器件分别是IRF7823PbF和IRF7832ZPbF，通过优化传导、开关和体二极管损耗，可实现最佳的效率和功率密度。两款器件可用作每相需要一个控制和2个同步MOSFET的两相同步降压转换器电路芯片组。这组新型SO-8 MOSFET 还适用于其他采用PWM控制的DC-DC降压转换器应用。 IR中国及香港销售总监严国富表示：“中低功率水平下
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