文件名称:
ARM发布首款可即量产的存储器接口IP
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文件大小: 51kb
下载次数: 0
上传时间: 2020-11-29
详细说明：ARM公司（伦敦证交所：ARM；纳斯达克：ARMHY）今天发布了其Artisan 物理IP系列中的ARM VelocityTM DDR1和DDR2（1/2）存储器接口，支持TSMC的90纳米通用工艺。ARM Velocity DDR1/2存储器接口是第一个通过TSMC IP质量安全测试的90纳米、可即量产的IP。 TSMC设计服务市场代理总监Kuo Wu表示：“我们一贯致力于同我们的IP合作伙伴共同努力，将高质量的IP以最短的时间整合到我们客户的领先的设计中。在我们对IP认证的严格要求下，ARM Velocity DDR1/2存储器接口在我们的90纳米工艺取得了卓越的首次投片成功。”
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