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ST率先采用90nm工艺技术生产的128Mb NAND闪存
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文件大小: 63kb
下载次数: 0
上传时间: 2020-11-29
详细说明：意法半导体公司(ST)推出采用90nm工艺技术的128Mb NAND闪存器件――NAND128W3A2BN6E。90nm技术降低了闪存芯片的成本和功耗。这些闪存广泛应用于如数码相机、录音机、PDA、机顶盒(STB)、打印机和各种闪存卡等消费类电子产品。据介绍，NAND128是目前市场上唯一采用90nm工艺技术的128Mb闪存。 NAND128具有超快的数据吞吐量和擦除功能。所有的系列器件的地址线和数据输入/输出信号在8位总线上复接，降低了引脚数量，允许使用标准组件的NAND接口，使制造商能生产更高(或更低)容量的产品，而不用改变占位面积。 该公司提供的软件工具链有助于加快产
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