文件名称:
三星开发出512M的DDR2 SDRam存储芯片
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文件大小: 40kb
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上传时间: 2020-11-29
详细说明：韩国电子巨头三星电子公司日前宣称，他们开发研制出了全球第一款使用70nm工艺生产的512Mb DDR2 SDRam存储芯片，这也是目前存储芯片制造领域内的最精细的微处理技术。 三星电子称，采用70nm工艺生产的512Mb DDR2 SDRam存储芯片，是当前80nm 和 90nm处理工艺的延续。但目前采用70nm处理工艺的每个晶圆上的芯片数量至少要比采用90nm工艺所包含的芯片数量多出一倍。新的生产工艺采用了三星的金属绝缘层金属(Metal-Insulator-Metal，MIM)技术以及被称为“三维晶体管技术——凹道排列晶体管(recess channel array transist
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