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下一代Chip Stack技术将使双层堆叠SiP厚度缩小到0.5mm
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文件大小: 69kb
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上传时间: 2020-11-28
详细说明：瑞萨科技近日在苏州电博会举行的技术交流会上透露，该公司正在开发的下一代Chip Stack技术将使其SiP(系统级封装)产品加速向薄型发展。“目前瑞萨科技2个裸片堆叠的SiP厚度为1.2mm。”瑞萨科技SiP设计事业部经理海野雅史表示，“我们的目标是在现有技术的基础上使该值降低到1.0mm，然后利用下一代的Chip Stack处理技术，进一步将其缩减到0.5mm。” 瑞萨科技将通过硅连接电极技术达到上述目的。海野雅史以CPU和存储器2层裸片堆叠的SiP为例介绍说，硅连接电极技术的原理是通过最短配线改善电器特性。具体做法是在裸片层间放置硅转接板(Si Interposer)，从而代替目前的
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