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最新MOS相位转换存储器单元只需100μA的编程电流
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文件大小: 53kb
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上传时间: 2020-11-28
详细说明：日立与瑞萨科技日前发布了低功耗相位转换存储器单元的成功原型。这种非易失半导体存储单元可以在电源电压为1.5V和电流低至100μA的条件下进行编程——与采用以前技术的日立和瑞萨发布的产品相比，每个单元的功耗降低了50％。此外，相对于现有的非易失存储器，新的相位转换单元在高速读写能力、编程耐久性、小尺寸和高水平集成方面均更为优异。因此，这些原型可在下一代微控制器中为诸如信息设备、家用电器，以及车载设备和控制系统等嵌入式应用的片上编程和数据存储提供一种颇具前途的解决方案。 该原型单元采用130纳米CMOS工艺制造。其结构采用了MOS晶体管和一层在热响应中呈非晶体状态(高阻抗)或晶状(低阻抗)的
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