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上传时间: 2020-12-09
详细说明：所有人 S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司 本发明涉及一种用于选自于半导体材料的晶片的表面处理工艺，通过转移技术获得该晶片，以及该工艺包括依次包含下述步骤的快速退火阶段：a)温度上升的第一个斜坡，是为了开始加热，b)第一次稳定停止，是为了稳定温度，c)温度上升的第二个斜坡，其特征在于在第二个斜坡期间，在称为低的第一温度范围之内温度上升的平均斜率具有第一值，然后在称为高的温度范围之内增加。 下载：图片1 图片2 图片3 图片4 图片5 图片6 图片7 图片8 图片9 图片10 备注：1 如果图片无法查看，可下载tif插件后重试。2 如果图片无法下载，请隔后重试。3 所有图片及资
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