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上传时间: 2020-12-09
详细说明：根据§3.1.2界面氧化层模型给出的非化学计量比的SiOw给出的杂质扩散系数D(w)和分凝系数m(w)，把它们带入§3.1.4硅-硅直接键合杂质分布模型，可以得出通过界面本征氧化层后杂质在各区的分布： 硅-硅直接键合的硅片中间存在一层很薄的氧化层，其化学成分是非化学计量比的氧化物SiOw（0 < w < 2）。杂质在界面氧化层SiOw中的扩散系数与其化学组成成分有关，即与w有关。利用杂质在硅和二氧化硅中扩散的激活能的线性近似，推导出杂质在界面氧化层SiOw中的杂质扩散系数D(w)是参数w的负指数。另外，还推导出杂质在Si/SiOw的分凝
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