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上传时间: 2020-12-09
详细说明：金-硅共熔键合常用于微电子器件的封装中，用金-硅焊料将管芯烧结在管底座上，1979年这一技术用在了压力变送器上。金硅-焊料是金-硅二相系（硅的含量为19at.%），熔点为365℃，比硅或金的熔点低得多，如图1.2所示。在工艺上，金-硅焊料一般用作中间过渡层，置于欲键合的两键合片之间，将它们加热到稍高于金-硅共熔点温度，金-硅混合物将从与其键合的硅片中夺取硅原子以达到硅在金-硅二相系中的饱和状态，冷却后形成良好的键合，利用这种技术可以实现硅片之间的键合。而且，利用半导体材料Ge代替金，在高温下两个硅片之间形成一种新的半导体材料—锗-硅化合物，发展为一项新的硅-硅直接键合技术[1]。然而，高温下金
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