开发工具:
文件大小: 75kb
下载次数: 0
上传时间: 2020-12-09
详细说明：每一步湿法清洗的后面都跟着一点去离子水的冲洗。清水冲洗具有从表面上去除化学清洗液和终止氧化物的刻蚀反应的双重功效。冲洗可用几种不同的方法来实现。未来的焦点集聚在提高冲洗效果和减少水的用量上。1997年的NTRS声称，到2010年争取实现在尺寸为50纳米的器件上（水用量由目前的30 加仑/每平方英寸硅片减少到2加仑/每平方英寸硅片）。每平方英寸硅片的水用量由目前的30 加仑减少到2010年的2 加仑。 溢流式清洗器。自动的表面清洗并不是单独地将晶片浸泡在—池水中。完全的彻底的冲洗需要晶片表面有清洗的水不断地流过。其中一种方法叫溢流式清洗器。（图 5.29）它通常是嵌入清洗台面板内的一个池子。去离
(系统自动生成,下载前可以参看下载内容)
下载文件列表
相关说明
- 本站资源为会员上传分享交流与学习,如有侵犯您的权益,请联系我们删除.
- 本站是交换下载平台，提供交流渠道，下载内容来自于网络，除下载问题外，其它问题请自行百度。
- 本站已设置防盗链，请勿用迅雷、QQ旋风等多线程下载软件下载资源，下载后用WinRAR最新版进行解压.
- 如果您发现内容无法下载，请稍后再次尝试；或者到消费记录里找到下载记录反馈给我们.
- 下载后发现下载的内容跟说明不相乎，请到消费记录里找到下载记录反馈给我们，经确认后退回积分.
- 如下载前有疑问，可以通过点击"提供者"的名字，查看对方的联系方式，联系对方咨询.
