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上传时间: 2020-12-09
详细说明：掺杂是将特定量的杂质通过薄膜开口引入晶圆表层的工艺制程（图4.8）。它有两种工艺方法：热扩散（thermal diffusion）和离子注入（implantation），都在第十一章有详细阐述。 热扩散是在1000摄氏度左右的高温下发生的化学反应，晶圆暴露在一定掺杂元素汽态下。扩散的简单例子就如同除臭剂从压力容器内释放到房间内。汽态下的掺杂原子通过扩散化学反应迁移到暴露的晶圆表面，形成一层薄膜。在芯片应用中，热扩散也被称为固态扩散，因为晶圆材料是固态的。热扩散是一个化学反应过程。 离子注入是一个物理反应过程。晶圆被放在离子注入机的一端，掺杂离子源（通常为气态）在另一端。在离子源一端，掺杂体原
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