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模拟技术中的SOI晶圆拥有了较高精度的运算放大器
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文件大小: 54kb
下载次数: 0
上传时间: 2020-12-09
详细说明：当模拟芯片设计师在其器件中采用绝 缘体上硅（SOI）衬底时，常常是为了扩充这些器件的高速性能。当您在位于（通常是）硅氧化物的某一深层之上的硅层中，而不是直接在晶圆的块硅上制造硅电路时，就可以减少或去除许多寄生元件，这些寄生元件是后一工艺的必然结果。凭借其面向运算放大器的VIP50工艺，NS正在另一个领域中利用上述好处，即采用SOI结构来制造精密放大器。该公司对“精密”一词的经验型定义是：在规定温度范围内的失调电压低于1mV。VIP50具有互补的4GHz PNP和NPN晶体管；一条直达SOI晶圆的SiO2层的沟道对每个有源器件都进行了完全的电绝缘。除了大幅度地降低噪声和串扰之外，该结构还除去了
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