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文件名称: 铁电场效应晶体管
  所属分类: 其它
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  文件大小: 122kb
  下载次数: 0
  上传时间: 2020-12-09
  提 供 者: weixin_********
 详细说明:王华 于军 周文利 王耘波 谢基凡 周东祥 朱丽丽   摘要:介绍了铁电场效应晶体管(FFET)的基本结构、存储机制、制作方法,综述其结构设计的改进、铁电薄膜在FFET中应用的进展情况,探讨围绕铁电薄膜材料、过渡层、结构设计、不同成膜方法及工艺对FFET存储特性的影响,对FFET的研究现状和存在的一些问题进行评述。  关键词:铁电薄膜;铁电场效应晶体管;存储特性  中图分类号:TN304.9  文献标识码:A  文章编号:1001-2028(2000)02-0019-03   铁电薄膜材料具有良好的铁电性、压电性、热释电性、电光及非线性光学特性,在微电子学、光电子学、集成光学和微电子机械系统等
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