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电源技术中的用小型散热器对DirectFET封装功率MOSFET进行双面散热
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文件大小: 85kb
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上传时间: 2020-12-09
详细说明：引言使用生产厂封装的功率MOSFET器件，可以大幅度地提高多相稳压器组件(VRM)的功率密度。电流密度的提高是由两个因素决定的：1. 封装的寄生阻抗降低了；2. 功率器件的半导体结和外界环境之间的热阻大幅度地减少了。要充分地发挥生产厂提供的封装的优点，很大程度上取决于系统设计人员所采用的热管理方案。本文将探讨可以用于生产厂封装好的器件的各种热管理方案，并且引用了国际整流器公司测试的数据，来评估使用小型散热器改善这些器件散热性能的优点。本文也研究了在进行通电循环的情况下，在器件上直接安装散热器时，对器件可靠性的影响。图1是国际整流器公司的DirectFET封装MOSFET的结构图，在这个器件中，
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