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上传时间: 2020-12-13
详细说明：1引言
硅晶闸管自20世纪50年代问世以来，在功率半导体器件研究工作者的不懈努力下取得了令人瞩目的成就。硅晶闸管由普通晶闸管（PCT）逐渐演变出门极可关断晶闸管（GTO）、集成门极换向晶闸管（IGCT）、绝缘栅双极晶体管（IGBT）、MOS门控晶闸管（MCT、BRT、EST）。晶闸管以其高电压、大电流的特性，在许多电力电子系统中大显身手。
随着功率集成技术与新材料、新工艺的不断进步与成熟，科技工作者又利用陶瓷覆铜（DCB）技术将晶闸管及其移相触发电路、自动调节电路与SMT表面贴装技术相结合，将其集成封装于一体，使之具有电力调节、自动控制的功能，业内人士称之为晶闸管智能控制模
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