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上传时间: 2020-12-13
详细说明：新工艺减少栅泄漏
作者：Peter Singer, Semiconductor International
肯塔基大学（University of Kentucky）的研究人员展示了一种比较简单的快速热处理（RTP）和退火措施，可以延长常规栅介质的寿命，缓和对高k栅介质的需求。当栅介质变得越来越薄时，栅泄漏成为主要问题，以致于某些晶体管处于关态时的能耗几乎与处于开态时相当。可靠性的退化也是一个问题。
高k材料提供较大的电容和高有效氧化物厚度，使电荷更容易地从栅迁移到源/漏区。遗憾的是，虽然一些高k材料尤其是铬基硅酸盐已显露出希望，但是一些严重的整合问题仍然存在。这些造成了高阈值和平
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