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Si1-xGex/SOI材料的基本性质与应用前景
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上传时间: 2020-12-09
详细说明：张海鹏，章红芳，吕幼华（杭州电子工业学院电子信息分院, 浙江 杭州310037）摘要：主要讨论了Si1-x Gex/SOI材料的Si1-x Gex应变层临界厚度、折射率增量、载流子迁移率、超晶格的线性电光效应、等离子色散效应等基本性质，比较了SOI、Si1-xGex/SOI光波导与石英光波导在光、光电集成方面的优势，简述了与体硅相比，SOI在VLSI应用方面的优越性及其在微电子领域的广泛应用。最后探讨了Si1-xGex/SOI材料在光电集成和光集成领域的巨大应用前景。 关键词：Si1-xGe x/SOI；应变层；光波导；光电集成；超晶格 中图分类号：TN304.2 文献标识码：A 文章编号：1
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