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上传时间: 2020-12-08
详细说明：在下一代存储器的开发中，强电介质存储器MRAM(磁膜RAM)、OUM(双向一致存储器)是最有力的修补者，多家公司都进行产品化。不过各家公司的产品战略有所不同，其产品或逻辑电路与强电介质存储器结合而成系统LSI，或做成替代EEPROM、内存及DRAM的单个存储器。 强电介质存储器(FERAM/FRAM)为非易失性存储器，除了象DRAM及SRAM一样无需数据保持电源外，比起同样非易失的闪速存储器及EEPROM来，在写入时间、写入电压、耐改写性(写入次数)、数据保存时间方面也十分优越。在晶体管组成上，相对于通常EEPROM的2晶体管/单元，SRAM的6晶体管/单元，它可以1晶体管/单元。此外，EE
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