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电源技术中的Vishay推出面向OR-ing应用的TrenchFET功率MOSFET
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上传时间: 2020-12-04
详细说明：VISHAY推出三款面向OR-ing应用的功率MOSFET，这些器件具有三种封装选择，可提供最佳的导通电阻性能，凭借这三款器件，公司将有助于提高固定电信网络的效率。在企业服务器网络中，OR-ing功能可在主电源出现故障时接通冗余电源，以确保为系统持续供电。由于MOSFET承载来自正在运行的电源的整个负载，因此降低这些器件的功耗可极大降低能源成本。 日前推出的这三款N通道MOSFET具有20V漏极到源极与栅极到源极额定值，并且在SO-8占位面积中具有低至1.6毫欧的导通电阻规格。与同类竞争器件相比，这些VISHAY Siliconix功率MOSFET的导通电阻性能比市场上具有相同
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