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上传时间: 2020-12-30
详细说明：摘要：半导体器件制备过程中，SiO2牺牲氧化层经常作为离子注入的阻挡层，用来避免Si材料本身直接遭
受离子轰击而产生缺陷，牺牲氧化层在注入完成之后，氧化层的性质和结构会发生较大变化，在被腐蚀去除
过程中，腐蚀速率不确定性较大，本文研究了牺牲氧化层的腐蚀工艺选择过程。
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