文件名称:
SiO2 / HfO2双层作为工程隧穿势垒的金属浮栅存储器件
开发工具:
文件大小: 1mb
下载次数: 0
上传时间: 2021-03-26
详细说明：金属作为浮栅（FG）与高k电介质的结合已被视为将NAND闪存技术节点的规模继续扩展到2x nm以上的可能解决方案。 在这封信中，证明了具有SiO 2 / HfO 2的堆叠金属FG存储单元 双层工程隧穿势垒显示出良好的存储特性。 它以较低的工作电压以及增强的编程/擦除速度提供了良好的性能。 此外，还获得了数据保留的改善，证明了SiO 2 / HfO 2 设计的隧道势垒有望改善金属FG存储器的性能。
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