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Al扩散对蓝宝石衬底上MgxZn1-xO合金薄膜电学和光致发光性能的影响
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文件大小: 640kb
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上传时间: 2021-03-18
详细说明：铝从蓝宝石衬底扩散到高温制备的MgxZn1-xO合金薄膜已经通过二次离子质谱法进行了研究。在MgxZn1-xO薄膜表面检测到的Al杂质浓度高于1019 cm-3。电学性能测量表明，MgxZn1-xO薄膜的载流子浓度随着Mg含量的增加而显着降低，从ZnO的〜1018 cm-3到Mg016Zn084O合金的〜1015 cm-3。与温度有关的光致发光表明，Mg016Zn084O中的铝杂质比锌氧化物中的杂质更深。此外，第一性原理计算表明电离MgxZn1-xO合金中Al取代阳离子位点（AlCA）的能量随Mg含量的增加而增加，很好地支持了实验结果。随着Mg含量的增加，Al杂质电离能的增加是由于CBM随着Mg含量的增加而向高能转变。
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