文件名称:
通过HCl和（NH4）2S表面钝化的高迁移率锗p-MOSFET
开发工具:
文件大小: 501kb
下载次数: 0
上传时间: 2021-03-18
详细说明：为了在高空穴迁移率Ge p-MOSFET应用中实现高质量的高k / Ge接口，引入了一种简单的化学清洗和表面钝化方案，并且有效沟道空穴迁移率高达665 cm2 / V s的Ge p-MOSFETs在Ge（111）衬底上进行了演示。此外，提出了一个物理模型，通过分析HCl和（NH4）2S钝化样品的电学特性来解释MOS界面上的偶极层形成。
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