文件名称:
低泄漏寄存器文件设计的双Vt动态或电路中的变化感知睡眠向量选择
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文件大小: 3mb
下载次数: 0
上传时间: 2021-03-18
详细说明：双阈值电压（Vt）技术广泛应用于动态“或”电路中，以实现寄存器文件（RF）设计中的低泄漏，但其待机状态下所选睡眠向量会显着影响其有效性。随着技术扩展到更深的纳米时代，由于PVT（Craft.io，电源电压和温度）变化的影响，双Vt动态或（DV-OR）电路中的睡眠向量选择变得具有挑战性。在本文中，我们分析了DV-OR电路中PVT变化，泄漏特性和睡眠向量之间的关系。我们进一步对睡眠向量选择进行了全面研究，并探索了其在DV-OR电路中的设计空间。最后，我们对多个Vt动态OR电路进行了分析，并提供了睡眠向量选择准则，以实现现代处理器中的低泄漏和健壮的寄存器文件。
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