文件名称:
具有超低导通电阻的双栅极横向双扩散金属氧化物半导体
开发工具:
文件大小: 664kb
下载次数: 0
上传时间: 2021-03-17
详细说明：提出了一种新型的具有超低比导通电阻（R-on，R-sp）的高压沟槽横向双扩散金属氧化物半导体（LDMOS）。 该结构具有双栅极（DG LDMOS）：在氧化物沟槽中插入了平面栅极和沟槽栅极。 首先，双栅极可以提供双传导通道并显着降低R-on，R-sp。 其次，漂移区中的氧化物沟槽可调节电场分布并减小单元间距，但仍可保持相当的击穿电压（BV）。 仿真结果表明，与传统LDMOS等效BV相比，DG LDMOS的单元间距可以减小50％。 此外，由于较小的单元间距和双栅极，DG LDMOS的R-on（sp）可以降低67％。
(系统自动生成,下载前可以参看下载内容)
下载文件列表
相关说明
- 本站资源为会员上传分享交流与学习,如有侵犯您的权益,请联系我们删除.
- 本站是交换下载平台，提供交流渠道，下载内容来自于网络，除下载问题外，其它问题请自行百度。
- 本站已设置防盗链，请勿用迅雷、QQ旋风等多线程下载软件下载资源，下载后用WinRAR最新版进行解压.
- 如果您发现内容无法下载，请稍后再次尝试；或者到消费记录里找到下载记录反馈给我们.
- 下载后发现下载的内容跟说明不相乎，请到消费记录里找到下载记录反馈给我们，经确认后退回积分.
- 如下载前有疑问，可以通过点击"提供者"的名字，查看对方的联系方式，联系对方咨询.
