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文件名称: 在氧化层生长过程中模拟Al1060在800-910 K时的正常光谱发射率
  所属分类: 其它
  开发工具:
  文件大小: 598kb
  下载次数: 0
  上传时间: 2021-03-17
  提 供 者: weixin_********
 详细说明:这项工作旨在模拟在空气中氧化物层在800到910 K的温度范围内生长过程中铝1060的正常光谱发射率。因此,已在6小时的加热条件下测量了铝1060的正常光谱发射率。在一定温度下的周期。 在我们的实验中,来自样品的辐射被InGaAs光电二极管检测器接收, 作品 在 1.5 微米 和 这 带宽 的 20 纳米 这 温度 的 样品 表面 是 通过平均对称焊接在前表面的两个铂铑热电偶来测量 的 样品 靠近 这 测量 区域 由检测器查看。 强 振荡 正常的 光谱发射率 有 是 观测到的 和 讨论过 确认已连接 和 这 厚度 的 氧化物 层 在 这 样品 表面, 和 起源 从 这 干涉 影响 之间 这 辐射来自样品表面的氧化层,辐射源来自基片。 仅由表面氧化作用引起的正常光谱发射率的不确定度约为4.6-10.6%,而仅由表面氧化作用引起的温度的相应不确定度约为 3.5-8.4 K. 这 分析性的 模型 之间 正常的 光谱 发射率 和 这 加热 时间 是 在一定温度下进行评估。 具有指数和对数函数的简单函数形式可以用来很好地再现正谱的变化 发射率 和 这 加热 时间 在 一种 定 温度, 包括 这
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