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应变作用下单层MoS2的带隙工程：DFT研究
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上传时间: 2021-03-17
详细说明：在本文中，通过分析结构参数：带隙，态密度（DOS）和米利肯电荷，使用密度泛函理论计算来研究单层MoS2的应变。 计算表明，增加的外部污点趋于降低具有较小SS夹层间距的波纹结构，并增大Mo-S键的长度。 拉伸应变极大地改变了带隙。 但是，压缩应变几乎没有。 带隙的变化通过对DOS，状态部分密度（PDOS），结构参数和Mulliken电荷分布的分析来解释。 应变对Mulliken电荷和Mo-S带长度的影响导致在拉伸和压缩应变下的带隙差异。
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