文件名称:
具有介电场增强功能的L形低导通电阻电流路径SOI LDMOS
开发工具:
文件大小: 2mb
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上传时间: 2021-03-17
详细说明：提出并制造了一种具有降低的单元间距的改进的击穿电压（BV）SOI功率MOSFET。 对其击穿特性进行了数值和实验研究。 MOSFET具有双沟槽（DTMOS），源区和漏区之间的氧化物沟槽以及延伸至掩埋氧化物（BOX）的沟槽栅。 所提出的装置具有三个优点。 首先，由于氧化物的介电常数（“ ox /”比硅的介电常数（“ Si /”低），氧化物沟槽增加了x方向上的电场强度。氧化物沟槽和BOX引起多方向耗尽，改善了电场分布并增强了RESURF（减小的表面场）效应，均增加了BV；其次，氧化物沟槽折叠了漂移区沟槽栅极不仅减小了导通电阻，而且还充当了提高BV的场板；此外，沟槽栅极还实现了隔离< br>在高压集成电路（HVIC）中的高压器件和低压CMOS器件之间，
有效地节省了芯片面积并简化了隔离过程。180 V原型DTMOS及其应用
制造驱动IC以验证其机理。
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