文件名称:
具有改进的超结层的低比导通电阻功率MOSFET
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上传时间: 2021-03-17
详细说明：提出了一种新型的具有表面改进的超结（SISJ）层的低比导通电阻（Ron，sp）可集成功率金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。 在漂移区的表面上实现了超结层，并且将超结层中的P柱分成了掺杂浓度不同的两部分。 首先，超结层引起多方向耗尽效应。 因此，SISJ LDMOS的漂移区掺杂浓度显着增加。 其次，超结层提供了表面上的低导通电阻路径。 第三，由P柱的掺杂浓度的变化引入的新的电场峰值调节了表面电场分布，从而提高了击穿电压（BV）。 对于特定的BV容量，它可以减小器件间距。 所有这些人都使Ron，sp急剧下降。 对于相同的BV，SISJ LDMOS在BV = 230 V时的Ron，sp为10.2mΩcm 2 ，与传统的横向双扩散MOSFET（LDMOS）相比，Ron，sp降低了37％。 最后，由于SISJ层的深度较浅，因此所提出的结构可以与CMOS技术兼容。 因此，SISJ LDMOS必须是用于功率集成电路应用的有竞争力的功率器件。
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