文件名称:
硫化和SnS / a-Si异质结太阳能电池制备SnS薄膜
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文件大小: 822kb
下载次数: 0
上传时间: 2021-03-17
详细说明:通过对溅射的Sn前驱体层进行硫化,成功地在玻璃上制备了SnS薄膜。 所制备的SnS膜的X射线衍射峰与正交性SnS的X射线衍射峰非常匹配。 SnS膜的表面致密,Sn∶S的组成元素比为0.91∶1。 SnS膜在可见光区域的吸光系数高于104cm-1,光学带隙能量估计约为1.35 eV。 最后,制备了新型的SnS /α-Si异质结太阳能电池。 该结表现出典型的整流二极管特性,该结的估计二极管系数为2.34。 在光照下,该异质结太阳能电池的开路电压和短路电流密度分别为289 mV和1.55 mA / cm2。
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