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文件名称: 从顺序电沉积Cu-Sn-Zn前驱体合成Cu2ZnSnS4薄膜及其结构和光学性质
  所属分类: 其它
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  文件大小: 598kb
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  上传时间: 2021-03-17
  提 供 者: weixin_********
 详细说明:通过在新颖的电解质配方和优化的参数下在Mo衬底上依次电镀Cu-Sn-Zn前驱体,并在饱和硫气氛中进行退火,成功地制备了Cu2ZnSnS4(CZTS)薄膜。 结果表明,Cu / Sn / Zn前驱体序列严格,优化的电沉积参数如下:-0.6 V,Cu 5分钟,-1.2 V,Sn 2分钟,-1.35 V,10分钟锌。 层状前驱体首先在低退火温度下合金化成Cu6Sn5和CuZn二元相。 然后Cu6Sn5和CuZn合金在硫气氛中分解,并形成CuS,SnS和ZnS二元相。 随着温度的升高,CuSnS3的三元相通过CuS和SnS之间的React形成。 最后,通过二元和三元硫化物之间的React合成了CZTS薄膜。 在550 A的温度下合成1小时的CZTS薄膜的光致发光峰约为1.49 eV。
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