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上传时间: 2021-03-17
详细说明：已经通过以碳化钨丝为前体的热丝化学气相沉积制备了单相碳化钨纳米柱阵列。 分别通过XRD，SEM和HRTEM表征了纳米柱阵列的结构特性和形貌。 提出了一种可能的形态学形成机理。 此外，已经研究了纳米柱阵列的场发射特性。 纳米柱阵列的Fowler-Nordheim图显示出有趣的线性依赖性，表明它们适合作为发射体。 纳米柱阵列在2000 V电流强度约为5.6 x 10（-7）A时，阳极和样品之间的距离为150μm，在数小时内显示出显着的稳定性。
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