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直流磁控溅射ZnO：Al2O3陶瓷靶材制备Al-N-掺杂P型ZnO薄膜中高载流子迁移率的实现
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上传时间: 2021-03-16
详细说明：在这项研究中，Al-N共掺杂型氧化锌（ZnO）薄膜在N2和O2气体与陶瓷ZnO：（2 wt％Al2O3）的溅射靶中使用DC-沉积在Si和均质缓冲层模板上磁控溅射。 双θ衍射的X射线衍射光谱表明，所有膜均具有ZnO纤锌矿结构的主要（002）峰。 随着N2和O2混合气体中N2含量的增加，场发射二次电子显微镜显示出Si上共掺杂膜的表面外观从光滑结构到纹理结构变化。 所述p型ZnO薄膜显示该rangeof载流子浓度1.5×10 15 -2.93×10 17 cm -3时，resistivityin的131.2-2.864Ωcm的范围内，和迁移率的3.99-31.6厘米2伏范围-1 s -1 。
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