二极管的参数提取实验

在40-150 K的温度范围内测量形成128元件阵列的n-on-p Hg1-xCdx Te长波长红外光电二极管的电阻-电压曲线。通过同时模式非线性拟合程序拟合实验获得的特性。 RV曲线拟合的物理模型包括由扩散，生成重组，陷阱辅助隧穿，带间隧穿和串联电阻效应引起的暗电流机制。 从测量的RV曲线中提取了六个随温度变化的特征参数。 低温下提取的电流分量的特性表明隧穿效应的显着贡献，这是反向偏置大于约50 mV的主要泄漏电流机制。 汞空位诱导的陷阱陷阱在较高的温度下（通常大于120 K）趋向于转变为供体

由于中波红外(3～5 μm)探测器在军事上的广泛应用，基于中波红外激光器的定向红外发射装置已经成为发展的重点，而其中的激光束指向稳定性就成为非常重要的参数。对于一种光学参量振荡（OPO）产生的中波红外激光器进行了指向稳定性的测试，测试采用了中波红外成像系统及边缘提取与阈值的图像算法，获得了此种激光器的指向稳定性数据。实验结果表明，此激光器在常温下的最大指向偏移量为1.1 mrad，平均值为0.3 mrad。激光二极管（LD）抽运源晶体及非线性OPO晶体的温控还有进一步提高的可能性。研究结果将为中