汇川-IS620系列伺服版本号：V3.1pdf,S620强劲推动产业升级 目录 S620产品特点 1. EtherCAT总线技术 2.23bit多圈绝对值编码器技术 快速 精准 方便易用 3.|s620伺服介绍 07-34 3.11s620产品特点 07-14 EtherCAT 2|S620配置表 3.31S620伺服电机与驱动器产品概述 16-26 CONVEN 3.4|S620配线 ----27-31 3.5|S620套件选型 可支持m内同步100个轴■绝对值编码器分辨率达到口配线方便简单

从键合工艺与键合机理看出，室温下硅片的贴合对整个键合过程都有重要作用。硅-硅直接键合的预键合工艺是依靠两个硅片的短程作用力（如H键）把两个硅片拉在一起，然后经过高温退伙过程使界面发生物理化学反应，形成键合强度很大的共价键。因此，预键合前，对硅片进行处理，使表面吸附－OH团，对键合十分有益。预键合前，在垂直于硅片表面方向，硅材料的三维晶格结构周期性被破坏，电子势力不存在平移对称性。处在晶体内部的原子受到最邻近的次邻近的原子对称力场的作用处于平衡态，处在表面的原子由于非对称力场中存在指向空间的剩余结

亲水键合工艺虽然不断改进，并且应用到不同的领域，但亲水键合工艺的基本过程是类同的，一般分为三步[2]： （1）将两片表面平整洁净的抛光硅片（氧化或未氧化）先经含OH-的溶液浸泡处理，使硅片的表面吸附足够的OH根离子； （2）在室温下将硅片的抛光面贴合在一起，使两硅片在室温下依靠短程的分子间作用力（如H键）吸合在一起，由于这时硅片之间的作用力很弱，界面间有许多微小的没有键合上的区域； （3）将贴合好的硅片在O2或N2环境下经过数小时的高温退火处理，使界面发生物理化学反应，键合强度急剧增强，界面间没

硅-硅直接键合制备SOI材料的主要工艺过程是: (1)键合，将两个硅抛光片（其中一个或两个硅片的表面有热氧化层)进行清洗和活化处理，然后在室温下贴合在一起，通过表面分子或原子间的作用力直接连在一起, 最后把预键合好的硅片在干氧气氛中热处理, 使键合界面发生复杂的物理化学反应，生成键合强度很大的共价键使键合的硅片成为一个整体；(2)减薄，减薄器件有源区硅层到微米甚至亚微米厚度, 这样就得到了所需的SOI材料。硅片表面平整度、粗糙度及表面颗粒可影响键合的质量, 会在界面产生空洞和应力。实验证明, 亲