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  1. mos管讲解 mos管驱动电路 mos管的使用

  2. 快速让你上手mos管的使用 怎样搭建驱动电路 以及注意事项

  3. 所属分类：电子政务

    • 发布日期：2011-05-25
    • 文件大小：227kb
    • 提供者：xionbatianxia

  1. OP放大器应用技巧100例（松井邦彦）

  2. 本书是“图解实用电子技术丛书”之一。本书主要介绍op放大器在电子技术应用领域中100个应用技巧。针对在使用过程中可能出现的问题，结合op放大器特性，进行简要分析，并给出最终解决的方法。同时，尽可能地提供完整的op放大器的性能参数。全书共分11章，第1章介绍op放大器应用技巧须知，第2章介绍单电源/低功率op放大器的应用技巧，第3章介绍op放大器的应用技巧，第4章介绍微小电流op放大器的应用技巧，第5章介绍低噪声op放大器的应用技巧，第6章介绍高速op放大器的应用技巧，第7章介绍op放大器的稳定

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2012-02-18
    • 文件大小：18mb
    • 提供者：zhenggujianke

  1. 非常详细的MOS管讲义

  2. 该文档详细介绍了MOS管的原理、结构、使用方法和注意事项，并附带了使用的范例电路，值得保存

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2018-07-16
    • 文件大小：2mb
    • 提供者：cehon

  1. MOS管原理-非常详细

  2. 这是一个PPT文档，站在工程师使用者的详细讲解了MOS原理，使用注意事项

  3. 所属分类：硬件开发

  1. 一份资料看懂集成电路布局版图注意事项.rar

  2. 共质心版图是单步减小大范围应力诱发失配最有效的技术。下图中的ABAB结构两个器件的质心没有完全对准，应避免使用。ABBA结构虽然需要加Dummy器件，但其可以很好的减小应力诱发失配的影响。   当很多多晶电阻并排摆放时，在阵列边缘的电阻条会受到刻蚀速率变化的影响，电阻朝外的侧壁会很快刻蚀玩，朝内的边刻蚀速率很慢，中间的电阻没有向外的边缘，因此最终宽度会比其他电阻稍大。Dummy resistor添加到匹配电阻阵列的两端，以保证刻蚀的一致性。Dummy resistor的宽度可以比它们所保护的电

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-07-23
    • 文件大小：848kb
    • 提供者：weixin_39840387

  1. AC6904A带FM收音蓝牙耳机标准原理图V1.3.pdf

  2. 设计注意事项： 1 、 L5/C23/C25 开关电源电路，布局时尽量靠近 SW 引脚，走线尽量短和宽，不要有过孔。 L5 请使用绕线电感或功率叠层电感 10uH ，阻抗尽量小一些，额定电流大于 120mA ，内阻小于 0.5R 。 2 、 PGND 不分地，就近大面积连接到数字地； FMVSS 不分地，就近接数字 GND 。 3 、 DAC 模拟部分走线应尽量远离开关电源部分，远离 GND 走线。 4 、 PR1 ， PR2 ， PR3 为唤醒 IO ，高低电平都可以唤醒。按键开关机唤醒请使

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2019-09-30
    • 文件大小：77kb
    • 提供者：qq_35351713

  1. AC690N系列硬件设计指南 V1.3.pdf

  2. 特别注意事项： 1、主控输入电压不要超过 5.0V 以上 2、AC690N 系列蓝牙晶振可以省电容，但位置必须预留 3、内部软开关机方案的音箱或耳机，开关机按键请使用 PR2 口低电平唤醒 4、对软关机功耗要求特别低的方案，请使用外部 MOS 管开关机电路，请参考附件《MOS 管软开关机电路》 5、对 FM 要求比较高的客户，电路设计时请预留 FM 放大电路或使用外部收音芯片，FM 设计和调试请参考 《AC690N 系列 FM PCB Layout 说明》 6、使用内部充电的方案，充电输入端必

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2019-09-30
    • 文件大小：218kb
    • 提供者：qq_35351713

  1. AC6901A蓝牙方案标准原理图V1.4.pdf

  2. 设计注意事项： 1 、软开关机方案时，主控 LDOIN 不断电接 VBAT ， +3.3V 可以通过软件关掉。 2 、 RTCVDD 为内部 RTC 模块电源，休眠模式下不断电，此脚必须接 105 电容。 3 、 PR1 ， PR2 ， PR3 为唤醒 IO ，高低电平都可以唤醒。按键开关机唤醒请使用 PR2 口低电平 唤醒，因 PR2 长按有复位功能 ( 低电平复位有效 ) ，可解决特殊情况死机不开机问题。 4 、若方案只是需要软开关机，不需要 RTC 走时， 32K 晶振可以省掉。 5 、

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2019-09-30
    • 文件大小：270kb
    • 提供者：qq_35351713

  1. 6ra23中文说明书.pdf

  2. 6ra23中文说明书pdf,6ra23中文说明书重要信息 本操作手册包含关于使用4.00版软件的变流器的操作方式方面的信息。尽 管本手册基本上也适用于所有以往的软件版本,但在一些特定情况下,本手 册中一些专用的参数代码和故障代码的定义是以往软件版夲中所没有的,或 与他们不同。 本手册并未覆盖所有设备的细节和型号或每一种能考虑到的关于设备安装 使用、维护的情况。若需要进一步详尽的资料或发生了特殊的问题,而这些 在手册中又无充分的处理细节说明,请与当地的西门子公司代表处联系 注意 本手册的内容未改变

  3. 所属分类：其它

  1. 开关分段调色温方案-3-7W小功率方案.pdf

  2. 开关分段调色温方案-3-7W小功率方案pdf,S4220/D系列芯片是开关调色温的专用芯片， 该芯片内置了25V的开关管，简化了外围电路结 构。该系列芯片采用了芯飞凌的专利技术，能够既 可以最大限度地简化外围的原件个数，又可以保证 多个电源同时应用时的逻辑一致性。 为了扩大应用的领域， S4220/D系列可以使用 在隔离反激， Buck或Buck-Boost结构中，给电源 的设计提供便利性。S4220/D系列开关调色温控制愁片 电气特性 除非特别说明,VCC=13V且Ta=25°c

  3. 所属分类：其它

  1. 开关分段调色温方案-40W的方案.pdf

  2. 开关分段调色温方案-40W的方案pdf,S4225S/D系列芯片是开关调色温的专用芯 片，该芯片内置了400V的开关管，简化了外围电 路结构。该系列芯片采用了芯飞凌的专利技术，能 够既可以最大限度地简化外围的原件个数，又可以 保证多个电源同时应用时的逻辑一致性。 为了扩大应用的领域， S4225S/D系列可以使 用在隔离反激， Buck或Buck-Boost结构中，给电 源的设计提供便利性。S4225s/D系列开关调色温控制芯片 系列产品功能说明表 Part no.驱动路数 状态顺

  3. 所属分类：其它

  1. MOSFET管开关电路基本知识总结.pdf.pdf

  2. MOSFET管开关电路基本知识总结.pdfpdf,MOSFET管开关电路基本知识总结.pdf般来讲,三极管是电流驱动的, MOSFET是电压驱动的,因为我是 用CPLD来驱动这个开关,所以选择了用 MOSFET做,这样也可以节省系 统功耗吧,在做开关管时有一个必頒注意的事项就是输入和输入两端 间的管压降问题,比如个5的电源,经过管了后可能变为了4.5V, 这时候要考虑负载能不能接受了,我曾经遇到过这样的问题就是负载 的最小工作电压就是5V了,经过管子后发现系统工作不起来,后来才 想起来管子上占了

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-14
    • 文件大小：677kb
    • 提供者：weixin_38744270

  1. 进口芯片替代芯片汇总-MS8837_直流马达驱动.pdf

  2. 进口芯片替代芯片汇总-MS8837_直流马达驱动.pdf3瑞盟科技 Ms8837 电气参数(无其他说明,T=25℃,VCC=3V,VM=5V) 推荐工作环境:(无其他说明,T=25℃) 测试条件。最小值典型值最人值单位 电机电源 7 12 逻辑电源 VCC 输出电流 OUT 外部PWM频率 PWM 02000 0.8 250 kHZ 逻辑输入电压 5.5 工作温度 -40 85 电气特性:(无其他说明,1=25℃,VCC=3v,VM=5V) 参 符号测试条件最小值典型值最大值单位 VM工作电压

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-03
    • 文件大小：387kb
    • 提供者：weixin_38743481

  1. 使用场效应管的注意事项

  2. 场效应管 场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写（FET））简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junctionFET—JFET）和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxidesemiconductorFET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 场效应管使用优势 场效应管

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-13
    • 文件大小：68kb
    • 提供者：weixin_38661650

  1. 使用MOS管的注意事项

  2. MOS管由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^7~10^12Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-07-12
    • 文件大小：116kb
    • 提供者：weixin_38704830

  1. 场效应晶体管应用的四点注意事项！

  2. 我们常接触到晶体三级管，对它的使用也比较熟悉，相对来说对晶体场效应管就陌生一点，但是，由于场效应管有其独特的优点，例输入阻抗高，噪声低，热稳定性好等，在我们的使用中也是屡见不鲜。我们知道场效应晶体管的种类很多，根据结构不同分为结型场效应管和绝缘栅型场效应管;绝缘栅型场效应管又称为金属氧化物导体场效应管，或简称MOS场效应管. 　　1、如何防止绝缘栅型场效应管击穿 　　由于绝缘栅场效应管的输入阻抗非常高，这本来是它的优点，但在使用上却带来新的问题.由于输入阻抗高，当带电荷物体一旦靠近栅极时，在

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：100kb
    • 提供者：weixin_38677244

  1. 使用MOS管的注意事项

  2. MOS管由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高（10^7~10^12Ω）、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 所有?MOS?集成电路?（包括?P?沟道?MOS，?N?沟道?MOS，?互补?MOS?—?CMOS?集成电路）?都有一层绝缘栅，以防止电压击穿。一般器件的绝缘栅氧化层的厚度大约是?25nm?50nm?80nm?三种。在集成电路高阻抗栅前面还有电阻——二

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：88kb
    • 提供者：weixin_38724535