研究了偏置条件对硅锗异质结双极晶体管（SiGe HBTs）总电离剂量（TID）的影响。 SiGe HBT在60Coγ辐照期间设置为正向，饱和，截止和全接地偏置。 在每次辐照停止后，测量正向Gummel特性和反向Gummel特性，并对SiGe HBT的TID进行3-D仿真。 通过分析归一化过大的基极电流，可以得出不同偏置条件下的TID机制。 结果表明，SiGe HBT的各种辐照偏压下的TID损伤是不同的，正反Gummel特性之间的最差偏压表现出不一致的现象。 原因可以归因于在各种偏压条件下通过辐照