已经系统地研究了与InGaN / GaN量子阱（QW）耦合的表面等离子体（SP）上的光致发光（PL）强度增强和抑制机理。 比较了在不同温度和激发功率下，涂有银薄膜的GaN盖层区域中的SP-QW耦合行为。 发现发光二极管（LED）的内部量子效率（IQE）随温度和激发功率而变化，这继而导致异常发光增强和与SP-QW耦合有关的抑制趋势。 通过SP的提取效率和LED的IQE之间的平衡来解释该观察结果。