提出了一种新颖的三重RESURF（T-surf）SOI LDMOS结构。 该结构具有P型掩埋层。 首先，耗尽层可以在P埋层的两侧延伸，用作三重RESURF，并导致高漂移掺杂和低导通电阻。 其次，在漂移区的高掺杂浓度下，P层可以减小漂移区中的高体电场，并增强漏极侧的垂直电场，这导致均匀的体电场分布和增强的BV。 所提出的结构首次在SOI设备中使用。 通过模拟在2μm厚的掩埋氧化物层上的6μm厚的SOI层上获得具有BV D 315V的T型表面SOI LDMOS，与双RESURF（相比，其Rsp从16