提出并制造了一种具有降低的单元间距的改进的击穿电压（BV）SOI功率MOSFET。 对其击穿特性进行了数值和实验研究。 MOSFET具有双沟槽（DTMOS），源区和漏区之间的氧化物沟槽以及延伸至掩埋氧化物（BOX）的沟槽栅。 所提出的装置具有三个优点。 首先，由于氧化物的介电常数（“ ox /”比硅的介电常数（“ Si /”低），氧化物沟槽增加了x方向上的电场强度。氧化物沟槽和BOX引起多方向耗尽，改善了电场分布并增强了RESURF（减小的表面场）效应，均增加了BV；其次，氧化物沟槽折叠了漂移区