提出了一种新的具有界面空穴岛（HI）层的局部SOI（绝缘体上硅）（PSOI）高压P沟道LDMOS（横向双扩散金属氧化物半导体），并从理论上研究了其击穿特性。 高浓度的电荷积聚在界面上，其密度随负漏极电压而变化，这会增加电介质掩埋氧化层（BOX）中的电场（E（I）），并调制漂移区中的电场。 这导致击穿电压（BV）的提高。 在1微米厚的埋层上具有2微米厚SOI层的HI PSOI的E（I）和BV值分别为580V /μm和-582 V，而81.5 V /μm常规PSOI的-123V。 此外，Si窗还减轻