提出了一种新型的具有超低比导通电阻（R-on，R-sp）的高压沟槽横向双扩散金属氧化物半导体（LDMOS）。 该结构具有双栅极（DG LDMOS）：在氧化物沟槽中插入了平面栅极和沟槽栅极。 首先，双栅极可以提供双传导通道并显着降低R-on，R-sp。 其次，漂移区中的氧化物沟槽可调节电场分布并减小单元间距，但仍可保持相当的击穿电压（BV）。 仿真结果表明，与传统LDMOS等效BV相比，DG LDMOS的单元间距可以减小50％。 此外，由于较小的单元间距和双栅极，DG LDMOS的R-on（sp）