具有高迁移率GaN沟道层结构的优化AlGaN / AlN / GaN高电子迁移率晶体管（HEMT）在2英寸上生长。 MOCVD法制备直径为6H-SiC的半绝缘基板。 2英寸直径GaN HEMT晶片的平均薄层电阻低至261.9Ω/平方，电阻不均匀性低至2.23％。 原子力显微镜测量显示，在5×5μm的扫描区域中，光滑的AlGaN表面的均方根粗糙度为0.281 nm。 对于使用该材料制造的2.5 mm栅宽的单电池HEMT器件，最大漏极电流密度为1.31 A / mm，非本征跨导为450 mS / m