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搜索资源 - 凹陷层对GaN平面耿氏二极管中多域和谐波的调制
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凹陷层对GaN平面耿氏二极管中多域和谐波的调制
本文提出了一种具有等腰的氮化镓(GaN)平面耿氏二极管的新型结构提出了在氮化铝镓(AlGaN)势垒层中的梯形凹进层增强耿氏振荡波形的谐波分量。 数值模拟演示了带有凹口的振荡频率从99.1 GHz上升到300.4 GHz 数字从一增加到四,此时最大射频(RF)输出功率获得转化效率。 二极管的输出性能在高温下提高谐波频率,主要归因于多个凹陷层结构,可触发GaN的二维电子气通道中多个Gunn域的形成平面耿氏二极管。 这表明长沟道GaN Gunn二极管具有输出的能力与以亚毫米波工作的设备相关的可用RF功
所属分类:
其它
发布日期:2021-03-04
文件大小:1mb
提供者:
weixin_38618312