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搜索资源 - 利用单元状态的非对称错误率来提高闪存存储系统的性能
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利用单元状态的非对称错误率来提高闪存存储系统的性能
的可靠性 闪光 记忆 多级电池的引入使情况变得越来越糟 (MLC)和三级 细胞 (TLC)技术。 到 考虑可能 错误,每页中 闪光 记忆 配备了 错误 校正代码(ECC)模块。 根据选择的ECC方案 到 最坏的情况 错误 闪存中所有页面上出现的次数 记忆力。 最近的研究表明,MLC 闪光 细胞 在不同的 状态 展品多样 错误 费率 差别是巨大的。 因此,具有不同数据的页面将展示出完全不同的页面 错误 费率。 现有技术对一个页面中的所有页面使用统一的ECC方案 闪光 记忆 远非最佳。 这篇报告 漏
所属分类:
其它
发布日期:2021-03-12
文件大小:640kb
提供者:
weixin_38536841