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搜索资源列表

  1. 集成电路工艺之－刻蚀工艺

  2. 刻蚀工艺集成电路工艺之－刻蚀工艺集成电路工艺之－刻蚀工艺集成电路工艺之－刻蚀工艺

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-12-23
    • 文件大小：667kb
    • 提供者：godttang

  1. MEMS_制造中反应离子刻蚀工艺的模型及仿真

  2. MEMS_制造中反应离子刻蚀工艺的模型及仿真,反应离子刻蚀(RIE)的二维物理模型,包括各向同性和各向异性 两部分.该速率公式的参数由实验提取,随RIE工艺参数而变化

  3. 所属分类：硬件开发

    • 发布日期：2018-10-23
    • 文件大小：280kb
    • 提供者：duanyu1992

  1. LED刻蚀工艺介绍（图）.pdf

  2. 1、基本介绍2、湿法刻蚀3、干法刻蚀4、刻蚀工艺

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-05
    • 文件大小：716kb
    • 提供者：weixin_38743481

  1. 微流控器件的刻蚀工艺试验

  2. 微流控器件的刻蚀工艺试验，傅新，谢海波，以氢氟酸作为主要刻蚀剂，选用不同成分的添加剂（氟化铵、硝酸、盐酸、浓硫酸等）按不同比例调配成刻蚀液，进行对比性实验，研究

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-02-27
    • 文件大小：444kb
    • 提供者：weixin_38600460

  1. 光刻与刻蚀工艺.ppt

  2. “光刻”是指在涂满光刻胶的晶圆（或者叫硅片）上盖上事先做好的光刻板，然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射。原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质，易于腐蚀。 “刻蚀”是光刻后，用腐蚀液将变质的那部分光刻胶腐蚀掉（正胶），晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形。然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀，形成半导体器件及其电路。

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2019-08-21
    • 文件大小：10mb
    • 提供者：ranee_

  1. 硅基反铁电湿法刻蚀工艺研究

  2. 介绍了一种基于硅基的反铁电材料的湿法刻蚀工艺研究

  3. 所属分类：教育

    • 发布日期：2012-10-21
    • 文件大小：14mb
    • 提供者：qming123456789

  1. 二氧化硅的干法刻蚀工艺研究

  2. 不同工艺条件 对应的刻蚀速率、均匀性、选择比等刻蚀参数

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2010-11-25
    • 文件大小：314kb
    • 提供者：cwt0229

  1. 光刻技术工艺及应用

  2. 单的说用一定波长的波刻蚀材料就是光刻技术,集成电路制造中利用光学- 化学反应原理和化学、物理刻蚀方法

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-26
    • 文件大小：78kb
    • 提供者：weixin_38686245

  1. 工艺解析：CPU全制程之光刻蚀技术

  2. 光刻蚀是目前的CPU制造过程当中工艺非常复杂的一个步骤，为什么这么说呢？光刻蚀过程就是使用一定波长的光在感光层中刻出相应的刻痕，由此改变该处材料的化学特性。这项技术对于所用光的波长要求极为严格，刻蚀过程还会受到晶圆上的污点的影响。每一步刻蚀都是一个复杂而精细的过程。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-08-30
    • 文件大小：81kb
    • 提供者：weixin_38739744

  1. 集成电路制造工艺之光刻与刻蚀工艺.ppt

  2. 集成电路制造工艺之光刻与刻蚀工艺，

  3. 所属分类：嵌入式

  1. PCB技术中的释放MEMS机械结构的干法刻蚀技术

  2. 湿法刻蚀是MEMS 器件去除牺牲材料的传统工艺，总部位于苏格兰的Point 35 Microstructures在SEMICON China期间推出了干法刻蚀模块与氧化物释放技术，该技术为MEMS器件设计师提供了更多的生产选择，同时带来了宽泛的制造工艺窗口，从而使良率得到了提升。 　　SVR-vHF氧化物释放模块结合现有的memsstar  SVR-Xe 牺牲性汽相释放模块，利用无水氢氟蒸汽(aHF)来去除牺牲氧化物，从而释放MEMS机械结构。SVR蚀刻方法可以完全地去除牺牲材料而不损害机械结

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-11
    • 文件大小：41kb
    • 提供者：weixin_38582793

  1. 显示/光电技术中的波导SOl刻蚀工艺特点

  2. 刻蚀即通过物理或化学的方法去除非光刻胶或硬掩膜覆盖区域的材料。通常有两种方法，分别为干法刻蚀和湿法刻蚀，它们各有优缺点。但对于工艺灵活性、刻蚀精确度和可重复性等方面来说，干法刻蚀居主导地位。 　　对于SOl波导（尤其是矩形单模波导）或者光子晶体的制作来说，由于其波导尺寸极小（波长量级），在波导壁也具有较多光场分布，这时刻蚀工艺对波导传输损耗的影响就相当大了，所以这种小尺寸波导的刻蚀工艺需要严格控制其侧壁粗糙度，使其尽量光滑，以使其光损耗尽量减小。减小波导侧壁粗糙度的具体方法可参考波导损耗一节。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：36kb
    • 提供者：weixin_38528680

  1. 基础电子中的半导体VCSEL刻蚀空气柱型

  2. 对载流子进行横向限制，最简单的方法就是将器件的谐振腔及上DBR刻蚀成柱型结构，如图所示。最早的全半导体VCSEL就是采用的这种结构。为了除去谐振腔外层的材料，通常都采用湿法腐蚀或者干法腐蚀的工艺。在湿法腐蚀中，为了严格控制腐蚀的深度，通常采用较为温和的磷酸溶液作为腐蚀液，并且磷酸对GaAs和A1As的腐蚀没有选择性。按照一定的浓度配比，例如，H3P04：H2O2：H2O＝1∶1∶10，进行各向同性的湿法腐蚀。一般湿法腐蚀的腐蚀深度比较难控制，刻蚀后在柱的底部有凹槽，这限制了器件直径的进一步减小。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-13
    • 文件大小：87kb
    • 提供者：weixin_38557838

  1. 光学材料的干法刻蚀研究

  2. 摘 要：本文对化学材料二氧化硅的干法刻蚀工艺进行研究，运用反应离子刻蚀设备对二氧化硅进行了刻蚀实验，通过对不同工艺条件下二氧化硅的刻蚀速 率、均匀性等参数对比，最终得出了二氧化硅等同类光学材料最佳的干法刻蚀 工艺条件。

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2020-12-22
    • 文件大小：50kb
    • 提供者：jfkj2021

  1. SiC基芯片背面通孔刻蚀工艺研究

  2. 通过对感应耦合等离子体(ICP)设备装片夹具进行改进，提高了背氦的导热效率，减小了下电极基底与晶圆表面之间的温度差，提高了冷却效果。对装片夹具改进前后进行了对比实验，并分析了射频功率、ICP功率、下电极基底温度、腔室压力等参数对SiC背面通孔的刻蚀速率、选择比、倾斜角及侧壁光滑度的影响。通过装片夹具改进及工艺条件优化，开发出刻蚀速率为1μm/min、SiC与Ni的选择比大于60∶1、倾斜角小于85°、侧壁光滑的SiC通孔工艺条件，可用于SiC基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)、SiC金属半导

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2020-12-21
    • 文件大小：754kb
    • 提供者：jfkj2021

  1. 碳化硅( SiC) 器件制造工艺中的干法刻蚀技术

  2. 摘要：简述了在SiC材料半导体器件制造工艺中,对SiC材料采用干法刻蚀工艺的必要性.总结了近年来SiC干法刻蚀技术的工艺发展状况.

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2020-12-30
    • 文件大小：215kb
    • 提供者：jfkj2021

  1. ICP刻蚀优化及在多波长分布反馈式激光器阵列中的应用

  2. 研究了CH4/H2/Cl2感应耦合等离子体刻蚀技术中的关键工艺参数对刻蚀性能的影响。通过对CH4/H2/Cl2气体流量及流量比的优化，在自行设计的InP/InGaAlAs多量子阱结构的外延片上，实现了一种高速低损耗、形貌良好的Bragg光栅制作方法。基于优化后的工艺参数制作了多周期结构的λ/4相移光栅，实现了单片集成的四波长1.3 μm分布反馈式激光器阵列。该激光器阵列中激光器的阈值电流典型值为11 mA，外微分效率可达0.40 W/A，且实现了边摸抑制比大于46 dB的稳定的单纵模激光输出。研

  3. 所属分类：其它

  1. 半导体光刻蚀工艺

  2. 半导体光刻蚀工艺

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2021-02-05
    • 文件大小：48mb
    • 提供者：jfkj2021

  1. 光刻中刻蚀工艺特点.doc

  2. 光刻中刻蚀工艺特点.doc

  3. 所属分类：制造

    • 发布日期：2021-02-03
    • 文件大小：18kb
    • 提供者：jfkj2021

  1. 基于飞秒激光的覆铜板刻蚀工艺

  2. 针对传统电路板集成方式的局限性,提出基于飞秒激光的覆铜板线路成形技术。采用飞秒激光对覆铜板进行单因素实验和正交实验,结果表明,在激光功率、频率、扫描速度、扫描次数以及离焦量等因素中,扫描次数对刻蚀深度和表面粗糙度的影响最大,激光频率的影响最小;采用优化后的激光参数进行刻蚀,可以将表面铜层完全除去,得到高质量的刻蚀区域而不伤及底层基材。

  3. 所属分类：其它

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