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搜索资源列表

  1. 半导体基础知识和半导体器件工艺

  2. 通常物质根据其导电性能不同可分成三类。第一类为导体，它可以很好的传导电流，如：金属类，铜、银、铝、金等；电解液类：NaCl水溶液，血液，普通水等以及其它一些物体。第二类为绝缘体，电流不能通过，如橡胶、玻璃、陶瓷、木板等。第三类为半导体，其导电能力介于导体和绝缘体之间，如四族元素Ge锗、Si硅等，三、五族元素的化合物GaAs砷化镓等，二、六族元素的化合物氧化物、硫化物等。

  3. 所属分类：专业指导

    • 发布日期：2009-08-23
    • 文件大小：55kb
    • 提供者：shyf110

  1. 中金-化合物半导体的全球投资机会，AI、5G、电动车带动结构性增长-20180207-27页.pdf.pdf

  2. 化合物半导体行业报告：全球投资机会，AI、5G、电动车带动结构性增长（27页）,3D Sensing 用 VSCEL:我们预测 3D Sensing 用 VSCEL 的出货量将从 2017 年的 3,600万颗扩大 20 倍到 2020 年的 8 亿颗。主要驱动力包括苹果 2018 年推广前摄 3D Sensing 适用机种，2019 年开...

  3. 所属分类：其它

  1. 半导体单晶激光定向.pdf

  2. 半导体单晶激光定向pdf,半导体的研究和生产所用的材料仍以硅、锗及化合物半导体为主。它们的结构主要是金刚石，闪锌矿和纤维矿结构。晶体的鲜明的特点是各个方向性质不同。即具有各向异 性的特点。在不同的晶轴方向，它们的物理性能，化学性能差别非常大。例如:晶面的法向 生长速度，腐蚀速度。杂质的扩散速度，氧化速度，以及晶面的解理特性等等，都由于晶体 的取向不同而不同。况且在科研和生产中，由于我们制造的器件使用目的不同。往往也要求 我们所用基片的半导体材料的晶向不同。所以我们需首先对晶轴进行定向。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2019-09-13
    • 文件大小：195kb
    • 提供者：weixin_38744270

  1. 高性能低维半导体材料_硅异质结光电探测器_刘雪梅.caj

  2. 二维材料石墨烯、低维化合物材料硒化铟等光电性能良好的半导体材料，可 以与硅衬底结合制备高响应度高探测率等高性能的光电探测器。由于石墨烯与硅 接触时易被调控，本论文主要研究了将氟化石墨烯、掺硼硅量子点等材料与石墨 烯／硅光电探测器结合，对石墨烯进行调控，提升器件的响应特性。

  3. 所属分类：讲义

    • 发布日期：2020-02-26
    • 文件大小：8mb
    • 提供者：SparkQiang

  1. 半导体行业深度分析及投资框架（184页ppt）.pdf

  2. 一、高端手机产业链利润节点仍被国外厂商持有。华为OV智能手机里面最贵的6大核心半导体部件，绝大部分都是进口，缺芯少屏依旧是产业之痛: 1、OLED柔性屏(三星LGD占全球90%以上) 2、SoC主芯片(台积电三星占7nm以下代工的绝大多数) 3、DRAM芯片(三星、Hynix、镁光占绝大多数) 4、NAND芯片(三星、Hynix、东芝占绝大多数) 5、CIS摄像头芯片(Sony、三星 占高端大多数) 6、射频相关(Skyworks、Qorvo、穏懋) 二、国产替代供应链高速崛起。经

  3. 所属分类：电信

    • 发布日期：2020-06-13
    • 文件大小：15mb
    • 提供者：sysclock

  1. 模拟技术中的飞兆半导体：经得起推敲的可靠性

  2. 物质存在的形式多种多样，固体、液体、气体、等离子体等等。我们通常把导电性和导热性差或不好的材料，如金刚石、人工晶体、琥珀、陶瓷等等，称为绝缘体。而把导电、导热都比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。与导体和绝缘体相比，半导体材料的发现是最晚的，直到20世纪30年代，当材料的提纯技术改进以后，半导体的存在才真正被学术界认可。电阻率介于金属和绝缘体[1]之间并有负的电阻温度系数的物质。半导体室温时电阻率约在10E-5~10E7欧姆·米之间，

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-22
    • 文件大小：112kb
    • 提供者：weixin_38549721

  1. 半导体的简介

  2. 半导体：电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数的物质称为半导体：  半导体室温时电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm之间（上限按谢嘉奎《电子线路》取值，还有取其1/10或10倍的；因上角标暂不可用，暂用当前方法描述），温度升高时电阻率则减小。半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是最常用的元素半导体；化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化镓、磷化镓等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：55kb
    • 提供者：weixin_38633897

  1. 元器件应用中的半导体陶瓷元件特性及应用

  2. 一、PTC材料 　　PTC是一种具有正温度系数的半导体陶瓷元件。其主要代表材料有钛酸钡系列。它是有机化合物。经模压、高温烧结而制作成各种形状与规格的发热元件。PTC元件在应用时，只要在两个片端加上交流或直流电源，就可以获得额定的发热温度。 　　二、PTC的特性 　　以钛酸钡半导体陶瓷为例，其温度与电阻率关系曲线如图1所示。当温度在100℃以下时。它呈现普通半导体特性。即当导体温度从起始升高一定值时，电阻下降，为负温度系数。而当温度再升高到100℃以上的一段范围内。其电阻随着温度升高而急剧上

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-20
    • 文件大小：128kb
    • 提供者：weixin_38738272

  1. 基础电子中的详解：半导体的定义及分类

  2. 半导体（ semiconductor），指常温下导电性能介于导体（conductor）与绝缘体（insulator）之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的核心单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-10-19
    • 文件大小：48kb
    • 提供者：weixin_38734037

  1. 基础电子中的半导体材料种类及制备介绍

  2. 种类 　　常用的半导体材料分为元素半导体和化合物半导体。元素半导体是由单一元素制成的半导体材料。主要有硅、锗、硒等，以硅、锗应用最广。化合物半导体分为二元系、三元系、多元系和有机化合物半导体。二元系化合物半导体有Ⅲ-Ⅴ族（如砷化镓、磷化镓、磷化铟等）、Ⅱ-Ⅵ族（如硫化镉、硒化镉、碲化锌、硫化锌等）、Ⅳ-Ⅵ族（如硫化铅、硒化铅等）、Ⅳ-Ⅳ族（如碳化硅）化合物。三元系和多元系化合物半导体主要为三元和多元固溶体，如镓铝砷固溶体、镓锗砷磷固溶体等。有机化合物半导体有萘、蒽、聚丙烯腈等，还处于研究阶段。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-12
    • 文件大小：58kb
    • 提供者：weixin_38744902

  1. 元器件应用中的半导体发光二极管工作原理、特性及应用

  2. （一）ＬＥＤ发光原理 　　发光二极管是由Ⅲ－Ⅳ族化合物，如ＧａＡｓ（砷化镓）、ＧａＰ（磷化镓）、ＧａＡｓＰ（磷砷化镓）等半导体制成的，其核心是ＰＮ结。因此它具有一般Ｐ－Ｎ结的Ｉ－Ｎ特性，即正向导通，反向截止、击穿特性。此外，在一定条件下，它还具有发光特性。在正向电压下，电子由Ｎ区注入Ｐ区，空穴由Ｐ区注入Ｎ区。进入对方区域的少数载流子（少子）一部分与多数载流子（多子）复合而发光，如图１所示。 　　假设发光是在Ｐ区中发生的，那么注入的电子与价带空穴直接复合而发光，或者先被发光中心捕获后

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-11-18
    • 文件大小：239kb
    • 提供者：weixin_38703669

  1. 半导体生产

  2. 集成电路通常用硅制造，一种非常普遍且分布广泛的元素。石英矿就是一整块二氧化硅，或叫做silica。普通的沙子就是由小石英颗粒组成的，所以它主要也是silica。 尽管硅化物储量丰富，但硅本身不会自然生长。它是通过在电炉里人工加热silica和碳来制得的。碳和原本silica中的氧结合，留下或多或少熔融状态的硅。当它冷却时，无数微小的晶体就形成了，他们又会合成在一起形成有细密纹理的灰色固体。这种硅被称为多晶硅，因为它是由大量晶体组成的。杂质和混乱的晶体结构使这冶金级别的多晶硅不适合半导体制造。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：35kb
    • 提供者：weixin_38659527

  1. 通信与网络中的加速发展我国化合物半导体技术

  2. 近年来，移动电话、因特网、电子邮件、LAN（Local Area Network，局域网）等爆炸性的普及，使人们深切地感受到21世纪多媒体信息社会的序幕已经拉开。多媒体信息社会已靠近我们身边。 　　应用于移动通信、通信卫星、放送卫星等通信系统对准微波、微波的需求在不断地扩大，而传送的大容量化、超高速化以及汽车自动防撞雷达等新的需求，使毫米波的技术开发也非常盛行。这些技术进步的核心就是飞跃发展的化合物半导体技术与硅（Si）技术的结合，当频率大于10GHz（微波）后，只有化合物半导体器件才可以胜任。

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：103kb
    • 提供者：weixin_38520275

  1. 化合物半导体

  2. 2003年2月底在圣地亚哥（美国）召开了“化合物半导体2003年展望”会议。除高亮度LED和大带隙固态激光器外，一些电子器件市场和成熟的固态激光器市场还未恢复到其历史最好水平。某些GaAs IC市场和SiC器件市场今年将会增长。蓝光激光二极管受一些日本公司左右（日亚、索尼、NEC、先锋、夏普、丰田合成等）。日本公司大力开发用于大容量光盘的这类激光器。 索尼公司在三月初推出一种新的消费产品??“蓝射线”DVD光盘，这是工艺上一项最新进展。它使存储容量由4.7Gb（用红光激光器）增加到～2

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2020-12-09
    • 文件大小：97kb
    • 提供者：weixin_38706045

  1. 第5次Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体国际会议

  2. 第5次Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体国际会议

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-03-05
    • 文件大小：374kb
    • 提供者：weixin_38720322

  1. 在Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体上制成超晶格光波导

  2. 最近，松下电器公司光半导体研究所以有机金属气相外延（MOVPE)法开发Ⅱ-Ⅲ族化 合物半导体的超晶格制作技术，以此在Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体GaAs上形成100层Ⅱ-Ⅵ族 的ZnSe/ZnS超晶格层。用这一超晶格层制出负载型光波导，以H&Ne激光入射，第一次成功地做了超晶格三维可见光波导实验。

  3. 所属分类：其它

  1. 半导体的简介

  2. 半导体：电阻率介于金属和绝缘体之间并有负的电阻温度系数的物质称为半导体：  半导体室温时电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm之间（上限按谢嘉奎《电子线路》取值，还有取其1/10或10倍的；因上角标暂不可用，暂用当前方法描述），温度升高时电阻率则减小。半导体材料很多，按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。锗和硅是常用的元素半导体；化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物（砷化镓、磷化镓等）、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：54kb
    • 提供者：weixin_38592848

  1. 详解：半导体的定义及分类

  2. 半导体（ semiconductor），指常温下导电性能介于导体（conductor）与绝缘体（insulator）之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应用。如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。今日大部分的电子产品，如计算机、移动电话或是数字录音机当中的单元都和半导体有着极为密切的关连。常见的半导体材料有硅、锗、砷化镓等，而硅更是各种半导体材料中，在商业应

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：47kb
    • 提供者：weixin_38710566

  1. 飞兆半导体：经得起推敲的可靠性

  2. 物质存在的形式多种多样，固体、液体、气体、等离子体等等。我们通常把导电性和导热性差或不好的材料，如金刚石、人工晶体、琥珀、陶瓷等等，称为绝缘体。而把导电、导热都比较好的金属如金、银、铜、铁、锡、铝等称为导体。可以简单的把介于导体和绝缘体之间的材料称为半导体。与导体和绝缘体相比，半导体材料的发现是晚的，直到20世纪30年代，当材料的提纯技术改进以后，半导体的存在才真正被学术界认可。电阻率介于金属和绝缘体[1]之间并有负的电阻温度系数的物质。半导体室温时电阻率约在10E-5~10E7欧姆·米之间，温

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：111kb
    • 提供者：weixin_38629303

  1. GaN基微波半导体器件分析和比较

  2. 宽禁带半导体材料氮化镓（GaN）以其良好的物理化学和电学性能成为继代元素半导体硅（Si）和第二代化合物半导体砷化镓（GaAs）、磷化镓（GaP）、磷化铟（InP）等之后迅速发展起来的第三代半导体材料。与目前绝大多数的半导体材料相比，GaN 具有独特的优势：禁带更宽、饱和漂移速度更大、临界击穿电场和热导率更高，使其成为令人瞩目的新型半导体材料之一。目前，GaN 基发光器件的研究已取得了很大进展[1~ 3] ，在国外工作于绿光到紫光可见光区内的GaN LED 早已实现了商业化[2]；国内多家单位成功

  3. 所属分类：其它

    • 发布日期：2021-01-20
    • 文件大小：132kb
    • 提供者：weixin_38752459
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